삼성전자가 세계 최초로 10나노급 D램 시대를 열었다.
삼성전자는 2월부터 세계 최소 크기의 10나노급(1나노:10억분의 1미터) 8Gb(기가비트) DDR4 D램을 양산했다고 5일 밝혔다.
삼성전자는 2014년 세계 최초로 20나노 4Gb DDR3 D램을 양산한 데 이어 이번 10나노급 8Gb DDR4 D램의 양산으로 반도체 미세공정의 한계를 돌파했다. 최근 반도체 업계에선 기술력으로 불황을 극복하기 위한 노력이 한창인 가운데 삼성전자의 10나노급 D램 양산 성공은 시사하는 바가 크다. 공정 전환을 제대로 못한 마이크론의 경우 결국 올 1분기 영업이익 적자를 기록했다.
이번 제품에 삼성전자는 '초고집적 설계 기술'과 '사중 포토 노광 기술', '초균일 유전막 형성 기술' 등 3가지 혁신 기술을 적용했다. 이에 따라 차세대 극자외선(EUV) 노광장비 도입 없이도 10나노급 D램을 양산해 프리미엄 제품 제조 경쟁력을 높였다.
초고집적 설계 기술은 삼성전자가 독자적으로 개발한 차세대 반도체 설계 기술로 이를 통해 기존 D램(20나노 8Gb DDR4) 보다 생산성을 30% 이상 높였다. 또한 10나노급(1x) 8Gb DDR4 D램은 초고속·초절전 설계 기술을 적용해 기존 20나노 대비 동작속도가 30% 이상 빠른 3200Mbps를 구현할 수 있고, 동작 상태에 따라 소비전력을 10~20% 절감할 수 있다.
삼성전자는 미세공정의 한계를 극복하기 위해 낸드플래시 양산에 적용한 사중 포토 노광 기술을 업계 최초로 D램에도 구현했다. 사중 포토 노광기술은 초고집적으로 셀을 만들기 위해 한 번의 포토공정으로 초미세 패턴을 4배 많이 형성하는 기술이다.
삼성전자는 올해 용량과 성능을 동시에 높인 10나노급 모바일 D램도 양산해 PC, 서버 시장에 이어 초고해상도 스마트폰 시장도 지속 선점한다는 전략이다.
전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 "10나노급 D램은 글로벌 IT 고객들에게 최고 효율의 시스템 투자 솔루션을 제공할 것"이라며 "향후 차세대 초고용량 초절전 모바일 D램 출시를 통해 모바일 시장 선도 기업들이 더욱 혁신적인 제품을 적기에 출시해 글로벌 소비자의 사용 편리성을 대폭 향상하는데 기여해 나갈 것"이라고 밝혔다.
향후 삼성전자는 PC용 4GB(기가바이트) DDR4 모듈을 시작으로 엔터프라이즈 서버용 128GB 모듈까지 풀 라인업을 구축하고 초고용량 모바일 D램의 높은 수요 증가세에 맞춰 10나노급 생산 비중을 지속적으로 확대할 예정이다.
