삼성전자는 하반기 실적 개선 방안으로 DDR4, 14나노 공정 AP(모바일 프로세서) 등 첨단 부품에 기대를 걸고 있다.

 

이를 위해 상반기 14조원가량을 시설 투자에 쏟아부었다. 2분기 시설투자에 7조원가량 썼다. 삼성전자는 부품사업 경쟁력을 강화하기 위해 투자를 늘릴 수 있다고 30일 밝혔다.

 

삼성전자는 경쟁사와 1년 이상 기술력 격차를 유지한다는 계획을 세웠다. 백지호 삼성전자 메모리반도체 담당 전무는 메모리 반도체에 대해 “DDR3에서 DDR4, LP(저전력)DDR로 전환하는 시기”라면서 “20나노 DDR4 공정을 확대할 것”이라고 설명했다.

 

그는 또 낸드플래시에 대해서는 “V3 제품이 하반기에 나올 것”이라면서 “낸드플래시를 활용한 SSD 솔루션 제품 공급에 주력하겠다”고 밝혔다.

 

비메모리 부분 역시 모바일 중심으로 수익성이 강화할 방침이다. 삼성전자는 2분기 14나노 AP를 공급한 터라 수익 개선을 기대하고 있다. 고화소 LSI도 최근 출시했다.

 

반도체 부문 성장세는 시장 성장률을 상회할 것으로 나타났다. 올해 시장 비트 성장률(bit growth)은 10% 중반이다. 시장에서 판매된 반도체 전체 용량이 비트 단위로 계산했을 때 10% 중반 정도 늘었다는 뜻이다. 삼성전자는 자사 비트 성장률이 이보다 높을 것으로 봤다. 낸드 시장 성장은 30%후반대로 예측됐고 삼성전자 비트 성장은 이를 넘을 것으로 예측됐다.

 

삼성전자가 발표한 바에 따르면 1분기 시설투자는 7조2000억 원으로 이중 부품사업부문인 반도체에 4조4000억 원, 디스플레이에 5000억 원이 투자됐다. 즉 시설 투자 대부분이 부품산업에 투입되고 있는 것이다.

 

이명진 삼성전자 IR 본부장(전무)는 “부품 사업에 대해선 지금까지 기술리더십을 더욱 공고히 하고 기술사와의 격차를 벌림으로써 사업을 안정화할 것”이라면서 “시장 여건에 따라 투자를 늘릴 수 있다”고 설명했다.